独Infineon　Technlogy社は2009年6月9日、IEEE MTT-S International Microwave Symposiumにおいて、ブロードバンド無線ネットワーク基地局向けハイパワーLDMOSトランジスタの製品ファミリを発表した。出力が最大300W、90MHz以上のビデオ帯域に対応しており、無線ネットワークを3Gから4Gへと展開させる際に必要となる大きなピーク対平均電力比とデータレートを十分にサポートすることができるようになっている。また、1.4GHzから2.6GHzの携帯電話帯域で使用されているデバイスよりゲインも電力密度も高くなっていおり、パッケージが専有面積で30％小型化されている。新型トランジスタは、2170MHz、30V、8dB PAR、チャネル帯域3.84MHzの2キャリアのWCDMA信号で平均出力が50W、ゲインが18dB、効率が28％（P-1dB出力が230Wのトランジスタを使用した場合）などの性能を発揮することができる。パッケージは、オープンキャビティ・セラミックパッケージを採用している。また、鉛フリーであるとともにRoHS準拠となっています。新製品は、6種類ともサンプル提供中である。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2009/INFWLS200906-062.html