.

半導体・FPD業界の出版社 デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向

2016年2月2日

広島大、パナソニックなどSi CMOS技術によるテラヘルツ無線技術を開発

 国立大学法人広島大学、国立研究開発法人情報通信研究機構、パナソニックは2016年2月1日、共同で、シリコン(Si)CMOS ICにより最大100Gbpsを超える伝送速度でデジタル情報の無線伝送を可能とする、テラヘルツ波(300GHz帯)を用いた無線送信技術を開発したことを発表した。
 従来、テラヘルツ帯信号を用いた無線通信実験は、高周波動作に有利な化合物半導体を用い、出力をオン・オフし通信を行うような単純な回路方式による検討が主であった。一方、テラヘルツ帯を用いた無線通信技術が広く普及するためには、デジタル信号処理回路との組み合わせや高速化に必須となる多値変調回路との集積化が容易なシリコンCMOS集積回路によりテラヘルツ帯信号の無線伝送を可能とする技術が望まれていた。
 今回開発したのは、局部発振信号と中間周波数帯の変調信号を同時に3次非線形回に入力することで、中間周波数帯から300GHz帯へと変調信号を歪ませることなく周波数変換する独自の周波数変換技術。3次非線形回路を用いる周波数変換技術により局部発振信号の周波数帯を搬送波(300GHz帯)の1/3の周波数(100GHz帯)に下げることが可能となる。この技術を用いることで、Si CMOS ICにより、変調信号を歪ませることなく周波数変換を行うテラヘルツ波帯周波数変換回路を実現した。 周波数変換を可能としても出力信号レベルが小さいことが課題となる。そこで3次非線形回路を並列接続し電力を結合する技術を開発することでテラヘルツ波帯信号の出力を向上した。今回は、並列化回路の配置設計が効率的に行え、電力結合が効果的に行えることを考慮し32並列とした。
 また、無線送信回路に必要となる差動信号を、入力信号を増幅しつつ電力分配することで効率よく発生する増幅回路技術することで、回路の小型化を実現している。
 この研究開発は、総務省平成26、27年度「テラヘルツ波デバイス基盤技術の研究開発-300GHz帯シリコン半導体CMOSトランシーバ技術-」の成果の一環。今回の研究成果は、「International Solid-State Circuit Conference (ISSCC) 2016」(1月31日〜2月4日、サンフランシスコ)で発表およびデモンストレーション展示される。

URL=http://news.panasonic.com/press/news/data/2016/02/jn160201-1/jn160201-1.html









 

EDリサーチ
お問い合わせ・ご質問は webmaster@edresearch.co.jp
(c) 2001 ED RESEARCH Co., Ltd. All rights reserved.

デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向